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三星3nm晶圆量产面世!26亿签下最新光刻机

作者:刘国芳 日期:2022-07-03 09:31:04 点击数:

  三星电子近日宣布,全球首先量产采用环栅 (GAA) 晶体管架构的3nm工艺节点,同时韩媒称三星与ASML就采购高数值孔径 (NA) EUV光刻设备已签署协议。

  三星宣布,首次实施的GAA技术多桥通道FET(MBCFETTM) 突破了FinFET的性能限制,通过降低电源电压水平来提高功率效率,同时通过增加驱动电流能力来提高性能。

  与5nm工艺相比,第一代3nm工艺最高可降低45%的功耗,提升23%的性能,减少16%的面积,而第二代3nm工艺则是最高可降低50%的功耗,性能提升30%,面积减少35%。

  与此同时,韩媒公布了三星电子副会长李在镕6月赴欧成果,三星与ASML签署了一项协议,将引进今年将生产的EUV光刻设备和预计明年推出的最新款高数值孔径 (High-NA) EUV光刻机。 

  与现有的EUV光刻设备相比High-NA EUV光刻设备可以雕刻更精细的电路,被认为是游戏规则的改变者,将决定3nm以下工艺的市场格局。

  同时,目前0.55 NA EUV光刻设备的单价估计为5000亿韩元(约合26亿元人民币),售价高达现有EUV光刻设备的两倍

  今年早些时候,英特尔宣布已签署合同,购买5台这种设备,用于2025年生产1.8nm芯片台积电也在6 月16日公开表示,将在2024年全球首次将0.55 NA EUV光刻设备引入其工艺。


  报道还指出,李在镕欧洲此行的目的除确保下一代High-NA EUV光刻设备合作外,还在争取目前正在生产的新一代EUV设备的产能。据悉,ASML今年只能生产50台左右的EUV设备,交货周期为18个月


  据报道,三星电子已获得计划于今年生产的55台EUV光刻设备中的18台,这意味着该公司今年仅在EUV光刻设备上就将投资超过4万亿韩元(约合208亿元人民币)。








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