三星电子近日宣布，全球首先量产采用环栅 (GAA) 晶体管架构的3nm工艺节点，同时韩媒称三星与ASML就采购高数值孔径 (NA) EUV光刻设备已签署协议。

  三星宣布，首次实施的GAA技术多桥通道FET(MBCFETTM) 突破了FinFET的性能限制，通过降低电源电压水平来提高功率效率，同时通过增加驱动电流能力来提高性能。

  与5nm工艺相比，第一代3nm工艺最高可降低45%的功耗，提升23%的性能，减少16%的面积，而第二代3nm工艺则是最高可降低50%的功耗，性能提升30%，面积减少35%。

  与此同时，韩媒公布了三星电子副会长李在镕6月赴欧成果，三星与ASML签署了一项协议，将引进今年将生产的EUV光刻设备和预计明年推出的最新款高数值孔径 (High-NA) EUV光刻机。 

  与现有的EUV光刻设备相比，High-NA EUV光刻设备可以雕刻更精细的电路，被认为是游戏规则的改变者，将决定3nm以下工艺的市场格局。

  同时，目前0.55 NA EUV光刻设备的单价估计为5000亿韩元（约合26亿元人民币），售价高达现有EUV光刻设备的两倍。

  今年早些时候，英特尔宣布已签署合同，购买5台这种设备，用于2025年生产1.8nm芯片。台积电也在6 月16日公开表示，将在2024年全球首次将0.55 NA EUV光刻设备引入其工艺。

  报道还指出，李在镕欧洲此行的目的除确保下一代High-NA EUV光刻设备合作外，还在争取目前正在生产的新一代EUV设备的产能。据悉，ASML今年只能生产50台左右的EUV设备，交货周期为18个月。

  据报道，三星电子已获得计划于今年生产的55台EUV光刻设备中的18台，这意味着该公司今年仅在EUV光刻设备上就将投资超过4万亿韩元（约合208亿元人民币）。