7月，处在2024年中，不仅是上下半年的过渡期，也是整个半导体产业由衰转盛的过渡期，因为行业正在从2023年的低谷期向上走，根据各大市场研究机构统计和预测，2024上半年依然处于恢复期，下半年的行情会比上半年好很多。在这种情况下，处于年中过渡期的6、7月份，受多种因素影响，也成了多事之秋，特别是芯片制造，订单和制造产线转移轮番上演，芯片价格也随之变化。

晶圆代工转单加剧

台积电最新财报显示，2024年第二季度以客户总部所在地划分，北美占比仍然最大，达到65%，中国大陆市场则急速拉升至16%，与第一季度9%，以及2023年同期12%相比大增，并取代亚太区，成为第二大市场，亚太区域占比降至9%，日本维持6%。

受美国出口政策影响，不少尚未遭受出口管制的中国大陆企业提前下单囤货，特别是5nm及以下先进制程，产能吃紧，如果不尽快下定的话，再过几个月恐怕就很难拿到产能了。特别是中国正在积极发展AI，对先进芯片的需求量很大，目前也只有台积电和三星两个选择，台积电是优先选项。

不止中国大陆订单，国际芯片大厂订单也在向台积电转移。

很长时间以来，高通一直是三星的五大客户之一（包括但不限于晶圆代工业务），不过，近两年高通将大量订单转移到台积电。前一段时间，三星发布的报告显示，前五大客户分别是苹果、德国电信、香港创科、至上电子和Verizon，合计约占三星总营收的13%，高通不在其中，这是高通3年来首次跌出三星客户的前五名。

此前，高通将大量骁龙系列处理器订单交给三星代工生产，而现在很大部分已经被台积电取代了。不过，随着近期中国智能手机销量的增长，一些来自中国大陆和中国台湾的公司订单填补了高通的空白。

2023年就有报道称，高通出于对台积电产能有限的考虑，原打算在2024年开始执行双代工厂策略，第四代骁龙8一方面采用台积电N3E制程工艺，另一方面，供应Galaxy系列智能手机的版本采用三星3GAP（SF3）工艺。不过，由于三星3nm制程良率不稳定，产能有限，错过了不少商机，高通就是其中的大户。

据悉，高通仍打算在2025年转向双代工厂策略，已要求台积电和三星提供2nm制程芯片样品，以便做进一步评估。高通希望通过新策略降低SoC的生产成本。

2023年，三星晶圆代工业务赢得了谷歌Tensor G4芯片订单，之后，谷歌将Tensor G4的生产委托给三星的4nm代工产线，该芯片将搭载在定于2024下半年发布的Pixel 9系列手机上。

不过，7月初，据业内人士透露，台积电与谷歌近期已进入第五代处理器Tensor G5量产前的流片阶段，该处理器将搭载在定于2025年发布的Pixel 10系列手机上。

业内人士表示，Tensor G5将采用台积电3nm制程工艺生产，预计性能将比Tensor G4大幅提升。

此前，业界只是猜测台积电与谷歌在Tensor G5上合作的可能性，但最近两家公司似乎正在进行量产准备，这表明谷歌的晶圆代工合作伙伴关系发生了重大转变。

据了解，三星的3nm制程产线尚未获得任何明确的大规模客户订单，因此，2024年第一季度，三星晶圆代工的市场份额比上一季度（14%）下降了1个百分点，至13%，同期，台积电的市场份额从61%上升至62%。

不止台积电和三星掌控的最先进制程晶圆代工市场在转单，相对成熟（28nm以下）和成熟制程（28nm以上）市场转单也在加剧，受惠的厂商主要包括联电、力积电、世界先进等。下半年，预估联电的产能利用率将落在70%~75%之间，力积电12英寸厂产能利用率可达85%~90%，世界先进产能利用率将提升至75%以上，均优于预期。

集邦研究分析，这波转单潮，主要来自高通、芯源系统（MPS）等厂商，赛普拉斯（Cypress，已经被英飞凌收购）、兆易创新等厂商也向力积电洽谈编码型闪存投产计划，联电凭借产地多元布局优势，吸引德州仪器（TI）、英飞凌、微芯（Microchip）等大厂洽谈长期合作计划。

力积电表示，为顺应供应链调整及中国大陆晶圆厂竞争，该公司正在调整产品线投资策略，试着迎接有转单需求的大客户，积极开发先进BCD制程，用于电源管理IC生产，希望争取物联网及重要的AI、高性能计算（HPC）、电动车等高增长市场商机。

TechInsights预计，受益于高带宽内存（HBM）的旺盛需求，以及AI数据中心对NAND闪存使用量的增长，2024下半年，全球晶圆厂（包括逻辑和存储芯片）产能利用率有望达到80%左右。

存储市场的强劲复苏也为晶圆代工市场提供了稳定的订单来源，Omdia预测，2024年全球纯晶圆代工行业收入将增长16.4%。此外，AI加速器领域的市场规模将在2025年超过1500亿美元。

晶圆代工价格走向

由于消费电子、新能源车、通信等应用需求强劲，群智咨询（Sigmaintell）预计，2024年第二季度，全球28nm、40nm制程晶圆代工产能利用率约90%，28nm代工价格微涨，40nm价格基本持平。相对而言，28nm需求增长动力更明显，预计第三季度仍有个位数百分比环比上涨空间。

55nm、90nm制程芯片的下游应用主要为消费类电子。由于中国大陆晶圆厂在55nm、90nm制程上积极扩产，相关产能利用率提升并不显著，群智咨询预计，2024年第三季度仍在75%-80%之间。由于过去3~4个季度该制程价格降幅较大，从2024年第二季度起，多数晶圆厂在该制程范围的价格策略以收窄降幅为主，目标是在2024年底止跌。预计第三季度整体价格环比降幅为2%~3%。

得益于消费类电子库存调整完成，自2024年第一季度起，8英寸晶圆代工厂迎来更多订单，整体产能利用率平稳回升，但是，第二季度整体产能利用率仍较低，约为60%-65%，预计第三季度可恢复至70%。部分客户将一部分模拟芯片订单从中国大陆转移至其它地区的晶圆代工厂，群智咨询预计，第三季度中国大陆8英寸晶圆代工厂价格环比降幅在5%左右，中国台湾地区8英寸晶圆代工价格环比降幅预计为1%-3%。

三星晶圆代工调整了2024年第一季度定价，不仅提供了5%-15%的折扣，还明确表示，可根据订单量提供更优惠的价格。业界人士分析，三星这波降价，主要是因为当下市场需求没预期好，另外，就是要靠降价抢台积电的客户订单。

中芯国际预计，随着芯片制造商提高产能，芯片价格将继续下降。

中芯国际联席CEO赵海军在5月的业绩说明会上表示，中芯国际面临低价竞争，可能导致价值数千万美元的订单流失。他表示，芯片平均单价（ASP）每个季度会下降，但不会那么快。他说，12英寸晶圆产能满载的部分订单，价格会相对稳定，但标准产品遇到竞争时，中芯国际会顺应市场，随行就市，与客户一同面对竞争，后续标准产品价格可能会进一步下降。

不同于成熟制程的降价竞争，最先进制程（5nm及以下）产能则供不应求，涨价声四起。

此前有报道称，台积电打算提高2025年先进制程及先进封装的订单报价，其中，3nm制程的报价将提高5%以上，CoWoS封装的报价也将提高10%~20%。传闻台积电的3nm涨价方案已得到客户同意，双方达成了新协议，以确保稳定的供应。

有业内人士透露，面向人工智能和高性能计算客户的4nm、5nm制程可能会涨价11%，也就是说，4nm晶圆的价格从18000美元提高到20000美元，这意味着相比2021年的报价涨了至少25%。有分析师预计，2025年，3nm制程的价格将平均上涨4%，主要取决于订单的数量和具体协议条款，目前的晶圆报价在20000美元以上。

不过，像16nm这样相对成熟的制程产能充裕，不太可能涨价。有消息称，目前，台积电6nm、7nm产能利用率已经跌至60%，明年不但不涨价，甚至还会降价，幅度在10%左右。

内存芯片产能大挪移

在过去半年多时间内，争夺英伟达HBM内存订单成为国际存储芯片三巨头的大事，由于SK海力士早早布局，因此在竞争中处于明显优势地位，这给三星带来了很大压力，为了拿到相关订单，三星甚至更换了业务高层负责人。

三星的努力似乎得到了回报，据悉，其HBM3e内存已经通过了英伟达认证，预计第三季度开始供货。为了保障供货，三星采取了大动作，将现有DRAM总产能的30%划拨给了HBM3e。

7月16日，有消息称，三星平泽P4厂第二期(PH2)产线建设将暂停，P4厂主要包括DRAM和晶圆代工产线。按照原计划，三星将先建设PH1内存产线，然后建设PH2代工产线，之后依次建设用于生产DRAM产品的PH3内存线和PH4代工线。现在，三星决定暂时停工PH2，优先建设PH3产线。

三星是全球存储芯片龙头，将30%内存产能划拨给HBM3e，算下来，全球现有13%的DRAM产能不再生产DDR4或DDR5等，很可能会引发连锁反应，特别是在消费类电子产品旺季来临之际，在供给锐减、需求大增的情况下，相关DRAM芯片有望涨价。

作为全球DDR4、DDR5生产商中的主要企业，南亚科有望在这一波变化中受惠，该公司总座李培瑛指出，HBM、DDR5供不应求，有望抬升DRAM市况，预计南亚科下半年的产能利用率将上升，以满足市场需求。李培瑛认为，在三大原厂都忙于生产HBM的情况下，将减少全球DDR4产出，那时，南亚科有把握调涨DDR4价格，在供不应求的大背景下，南亚科会有较大的议价能力。

威刚董事长陈立白表示，目前，存储芯片大厂的产能配置以毛利率最高的HBM为优先项，之后才是一般用途的DDR5和DDR4，这样，DDR5价格大概率会继续上涨，DDR4去库存也将告一段落，价格将从8月开始进入第二波上涨周期，涨幅至少30%。

十铨公司表示，由于DDR5原厂的供给量不足，价格仍会上涨。

在所有芯片细分领域，存储器周期波动最大，在上行周期的顶部，2010年、2017年存储器销售额同比增长分别为55%、61%，在下行周期的底部，2002年、2019年存储器销售额同比下降了30%、33%。DRAM的上一轮周期在2017年12月左右见顶，在2019年12月触底，下行周期持续时间在两年左右，随后经历了一年半左右的上行周期，上一轮周期持续了3-4年。本轮DRAM周期在2021年4月见顶，在2023年9月触底，10月价格反弹。本轮下行周期持续时间已达两年半，新一轮的DRAM上行周期已经开始。

从2024全年的发展趋势来看，全球内存市场一直在向上走，价格也在上涨，这方面，各大市场研究机构都给出了统计和预测数据，各家之间没有实质性差异。在这样的背景下，三星将很大一部分产能划拨给HBM内存，是对全球存储芯片市场的再一次搅动，会起到推波助澜的作用，它会进一步强化全球存储芯片市场自2022~2023年表现低迷以来，触底反弹的增长态势。